迈向“芯”的制高点

华微电子召开IGBT产品内部发布会

2010年9月30日，华微电子召开IGBT产品内部发布会。会议重点介绍了公司IGBT产品研发进程以及取得的阶段性成果，标志着公司产品结构调整工作已经迈出坚实步伐，标志着公司在功率半导体器件高端领域的研发工作再次取得突破性进展。

本次发布会由公司副总工程师兼MOS产品总监李强主持。他首先介绍了IGBT产品在半导体技术中的价值，IGBT在市场中的应用空间及其对公司未来发展的带动作用。IGBT市场容量巨大，市场潜力巨大，应用空间广阔。它顺应了节能减排潮流，从消费电子到工业控制，从汽车电子到新能源领域等都能见到IGBT的身影，近年来在终端市场的强势发展带动下，IGBT产品已经成为功率器件家族中的新兴力量。公司自确立IGBT产品研发项目以来，技术人员勇于创新、不懈努力，积累了丰富的自主研发技术经验，至目前已取得突破性进展，15A/1200V IGBT产品在三家客户通过小批量认证，批量供货后将在一定程度上缓解当前市场供应紧张的局面。

发布会上，产品工程师系统介绍了有关IGBT产品的技术特点以及应用情况等详细内容，来自公司各部门的管理人员、市场营销业务人员以及产线技术人员等分别就IGBT产品的原材料选择、市场应用情况以及未来研发方向等提出相关问题，产品工程师对此进行了细致解答与说明，由此进一步加深了与会人员对IGBT产品的理解与认知。

发布会即将结束时，公司赵东军总经理做总结性发言。他首先肯定了IGBT研发团队为项目取得成功而付出的艰苦努力，并对当前所取得的研发成果表示祝贺。赵总经理结合当前市场竞争环境与公司发展战略要求，号召全体员工以IGBT产品的发布作为全新工作起点，振奋精神，树立起勇于争先的豪气与勇气，攻坚破难、开拓创新，围绕公司“全面改善经营质量”这一指导思想，突出工作重点，顺时而动，全力以赴开创公司经营发展新局面，迈向“芯”的制高点。

IGBT产品的研发成功是华微电子产品发展史上的重要里程碑，表明公司已经搭建起IGBT产品基础工艺平台，并使产品进一步实现系列化研发成为可能，为我司顺利进入轨道交通、工业控制以及新兴能源等领域提供了产品基础。

公司副总经理韩毅、张泽伟、王晓林以及董事会秘书赫荣刚出席本次发布会。

发布会现场

公司副总工程师兼MOS产品总监李强主持发布会

（前排右起：总经理赵东军、产品工程师王修中、副总工程师兼MOS产品总监李强）

IGBT项目组全体员工与公司赵东军总经理合影